总投资 240 亿美元,美光新加坡 NAND 新晶圆厂设施动工
1月 27 日,Micron 美光宣布启动位于新加坡的 NAND 闪存新晶圆厂建设工程。这座设施是新加坡首个双层晶圆厂,未来十年总投资约240 亿美元(注:现汇率约合1671.65 亿元人民币),预计 2028年下半年投产。
新加坡本就是美光的主要NAND 生产基地之一,此次新建的晶圆厂洁净室空间达到 70 万平方英尺(约 65032 平方米),将与早前动工的 HBM 先进封装工厂一道满足 AI 产业快速发展带来的存储需求。

1月 27 日,Micron 美光宣布启动位于新加坡的 NAND 闪存新晶圆厂建设工程。这座设施是新加坡首个双层晶圆厂,未来十年总投资约240 亿美元(注:现汇率约合1671.65 亿元人民币),预计 2028年下半年投产。
新加坡本就是美光的主要NAND 生产基地之一,此次新建的晶圆厂洁净室空间达到 70 万平方英尺(约 65032 平方米),将与早前动工的 HBM 先进封装工厂一道满足 AI 产业快速发展带来的存储需求。