7月2日，韩国研究团队研发出一项可将厚度仅为头发丝五分之一的超薄半导体芯片稳定堆叠10层以上的新技术。这一成果使芯片集成密度达到高带宽存储器（HBM）的4倍，具有突破性意义。   

浦项工科大学与韩国产业技术研究院联合研究团队于上月30日表示，成功研发出一种可在转移芯片的同时完成金属键合的新工艺，实现了较目前高性能存储器约4倍的集成密度。      

随着智能手机日益轻薄，半导体也需要具备更强的性能。在此背景下，半导体行业正将研发重点从横向扩展芯片面积转向纵向堆叠芯片结构。尤其是决定AI芯片性能的高带宽存储器，采用多层存储芯片垂直堆叠的结构，因此能否稳定堆叠更多芯片已成为衡量其竞争力的关键。      

不过，芯片越薄，就越容易发生弯曲或破裂，制造难度也随之增加。      

为此，研究团队将可将芯片精准转移至指定位置的“转移印刷”技术，与在芯片转移过程中同步完成金属连接的“实时键合”技术相结合，实现将芯片转移、贴装与连接三道工序一体化完成。      

研究团队利用该工艺，在低于180摄氏度的低温、低于20千帕的低压条件之下，成功将厚度约14微米的超薄硅芯片稳定堆叠10层以上。浦项工科大学方面表示，堆叠完成后层间对位误差较小，芯片翘曲现象也被大幅抑制。由此，为在相同高度空间内集成更多芯片开辟了新路径。      

浦项工科大学方面表示，该技术不仅可应用于AI半导体，还可应用于小芯片封装技术，以及利用微型发光器件的微发光二极管显示器领域，有望成为高性能AI半导体及下一代存储系统研发的重要基础技术。