三星电子、SK海力士正在重新考虑混合键合技术在HBM4上的导入时间。混合键合属于半导体先进封装技术，业内预计最早用于16层HBM4E。

据韩媒报道，两家公司据悉决定继续用传统热压键合技术，因行业放宽HBM厚度标准、客户高堆栈需求延迟调整计划。

HBM标准厚度在HBM3E（第五代）时为720微米，进入HBM4后已上调至775微米，主因是堆叠层数从8层、12层提升至12层、16层。据悉，国际半导体标准化机构JEDEC目前正讨论将HBM5等20层堆叠产品的厚度上限从900微米进一步放宽至约1000微米。厚度约束一旦松动，DRAM层间间距无需压缩至极限，TC键合所承受的技术压力也将相应减轻。

另一方面，英伟达等核心客户对高堆叠HBM的需求时间表出现后移。