美光科技近日宣布，将美国长期投资计划由原先2000亿美元提高至2500亿美元，2035年前将再增加约500亿美元资本支出，以扩大美国内存芯片制造能力，并同步宣布最高30亿美元的新一轮策略投资，进一步强化半导体供应链。

这项投资涵盖纽约州、爱达荷州和弗吉尼亚州等项目，美光预计，此次投资增加将有助于其实现长期目标，即在美国本土生产40%的DRAM芯片。

美光表示，新公布的最高30亿美元策略投资中，将投入5亿美元支持中国台湾环球晶(Globa lWafers)扩建德州晶圆研发与制造产能，双方并签署为期10年的原始硅晶圆供应协议，确保未来长期晶圆供货能力。

美光采购长Ben Tessone表示，确保关键原材料供应稳定，是支撑美光长期成长与技术发展蓝图的重要基础，而此次合作将有助公司建立更具韧性的美国半导体供应链。

近年AI数据中心快速扩建，使高效能内存需求持续飙升。美光正积极扩大产能，以满足AI模型训练及推论运算对内存容量与速度的大幅需求。

美光指出，目前位于总部所在地爱达荷州博伊西(Boise)的两座新晶圆厂已全面展开建设。同时，公司也在近期也完成纽约州克雷(Clay)新晶圆厂的首次混凝土浇置工程，正式展开主要厂房施工。

美光表示，纽约新厂完工后，将成为美国史上规模最大的半导体制造基地，也是公司未来数十年最重要的生产据点之一。

受AI热潮推动，美光以及竞争对手三星电子、SK海力士等存储芯片制造商，未来几年均计划投入数千亿美元扩充产能，以满足市场需求。上周，两家韩国芯片巨头宣布，计划合计投入最高8800亿美元，用于新建晶圆厂等项目。

美银证券在最新发布的半导体产业报告中称，随着HBM、DDR5及企业级储存需求持续扩大，加上AI服务器持续拉动DRAM及NAND闪存需求，存储芯片产业仍将是AI投资浪潮的重要受惠者。